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Componenti Elettronici

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SPP08N50C3 MOSFET

CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggioForo passante
Tipo di FETMOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss)560V
Corrente - Drain continuo (Id)7,6A
Rds On (max) - Id, Vgs600 mOhm a 4,6A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds750pF a 25V
Potenza max83W
Carica di gate (Qg) - Vgs32nC a 10V
Contenitore / involucroTO-220AB
Esenzione da piomboLead Free
Rispetto della direttiva RoHSRoHS Compliant
Altri NomiSPP08N50C3
SPP08N50C3
SPP08N50C3IN ND
SPP08N50C3INND
SPP08N50C3IN