MJE270G - Transistor Darlington NPN 100V 2A

Produttore:                         ON Semiconductor

P/N :                                                         MJE270G

Polarità transistor:                                       NPN    
Tensione base-collettore VCBO:                   100 V    
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:    100 V    
Tensione emettitore-base VEBO:                     5 V    
Tensione di saturazione collettore-emettitore:    2 V    
Corrente CC massima collettore:                     2 A    
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT:         6 MHz    
Temperatura di lavoro :                                   -65/+ 150 C      
Package :                                                     TO-225-3      
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:            500 at 20 mA at 3 V    
Potenza dissipata massima:                          15 W